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MOS管

PJQ44815AP‑AU车规 MOSFET

PJQ44815AP‑AU 是强茂DFN3333‑8L 贴片 P 沟道增强型 MOSFET

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产品详情

一、产品简介

PJQ44815AP‑AU 是强茂DFN3333‑8L 贴片 P 沟道增强型 MOSFET,具备 AEC‑Q101 车规认证,生产 100% UIS 雪崩测试;漏源耐压‑80V,Tc=25℃连续漏极电流‑10A;支持逻辑电平驱动,抗雪崩鲁棒性强;DFN3333‑8L(3.3×3.3mm)大焊盘贴片封装,散热性能优良;符合 EU RoHS2.0 无铅环保,适合车载 BMS、负载开关、工业电源、电池保护等功率电路,13 英寸卷带,5000PCS / 卷出货。

二、核心产品特性

  1. 逻辑电平驱动,低导通电阻VGS=-10V,ID=-5A 条件下 Rds (on) 最大 170mΩ;VGS=-4.5V 低压栅极驱动,ID=-2A 时 Rds (on) 最大 200mΩ,普通逻辑 IO 可直接驱动,导通损耗低。

  2. 车规级高可靠,100% 雪崩 UIS 测试AEC‑Q101 汽车电子认证,出厂全部 UIS 雪崩测试,单脉冲雪崩能量 EAS 可达 20mJ;结温‑55℃~+175℃,耐受车载严苛高低温、冲击工况。

  3. DFN3333‑8L 大焊盘贴片封装3.3×3.3mm 封装,大面积散热焊盘,热阻优异;端子满足 MIL‑STD‑750 可焊标准,适配 SMT 自动化贴装。

  4. 优良开关性能栅电荷 Qg 典型 16.3nC,FOM 品质因数优秀,开关损耗低;内置体二极管,反向恢复 Trr 典型 18ns,适配感性负载。

  5. 环保合规EU RoHS2.0 无铅,绿色模塑材料遵从 IEC 61249 标准。

三、关键电气参数

参数项目规格指标
型号PJQ44815AP‑AU
器件类型P‑Channel 增强型 MOSFET
封装DFN3333‑8L(3.3×3.3mm)
漏源耐压 VDS-80V
连续漏极电流 ID (Tc=25℃)‑10A
脉冲漏极电流 IDM‑18A
RDS (on) 最大值 (VGS=-10V,ID=-5A)170mΩ
RDS (on) 最大值 (VGS=-4.5V,ID=-2A)200mΩ
单脉冲雪崩能量 EAS20mJ
栅源电压 VGS±20V
结温 / 存储温度 Tj,Tstg‑55℃ ~ +175℃
结到壳热阻 RθJC4.1℃/W
认证AEC‑Q101、100% UIS 雪崩测试、RoHS2.0
包装规格13" 卷带,5000PCS / 卷

四、典型应用场景

  1. 汽车电子:车载 BMS 电池管理、车载负载开关、电源防反接保护;

  2. 工业控制:工业板卡电源通断、供电回路控制;

  3. 储能消费类:便携式设备电源路径管理、电池保护、负压开关;

  4. 电源系统:DC‑DC 转换器、负载电源开关控制。


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