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PJQ44815AP‑AU 是强茂DFN3333‑8L 贴片 P 沟道增强型 MOSFET
产品详情
PJQ44815AP‑AU 是强茂DFN3333‑8L 贴片 P 沟道增强型 MOSFET,具备 AEC‑Q101 车规认证,生产 100% UIS 雪崩测试;漏源耐压‑80V,Tc=25℃连续漏极电流‑10A;支持逻辑电平驱动,抗雪崩鲁棒性强;DFN3333‑8L(3.3×3.3mm)大焊盘贴片封装,散热性能优良;符合 EU RoHS2.0 无铅环保,适合车载 BMS、负载开关、工业电源、电池保护等功率电路,13 英寸卷带,5000PCS / 卷出货。
逻辑电平驱动,低导通电阻VGS=-10V,ID=-5A 条件下 Rds (on) 最大 170mΩ;VGS=-4.5V 低压栅极驱动,ID=-2A 时 Rds (on) 最大 200mΩ,普通逻辑 IO 可直接驱动,导通损耗低。
车规级高可靠,100% 雪崩 UIS 测试AEC‑Q101 汽车电子认证,出厂全部 UIS 雪崩测试,单脉冲雪崩能量 EAS 可达 20mJ;结温‑55℃~+175℃,耐受车载严苛高低温、冲击工况。
DFN3333‑8L 大焊盘贴片封装3.3×3.3mm 封装,大面积散热焊盘,热阻优异;端子满足 MIL‑STD‑750 可焊标准,适配 SMT 自动化贴装。
优良开关性能栅电荷 Qg 典型 16.3nC,FOM 品质因数优秀,开关损耗低;内置体二极管,反向恢复 Trr 典型 18ns,适配感性负载。
环保合规EU RoHS2.0 无铅,绿色模塑材料遵从 IEC 61249 标准。
| 参数项目 | 规格指标 |
|---|---|
| 型号 | PJQ44815AP‑AU |
| 器件类型 | P‑Channel 增强型 MOSFET |
| 封装 | DFN3333‑8L(3.3×3.3mm) |
| 漏源耐压 VDS | -80V |
| 连续漏极电流 ID (Tc=25℃) | ‑10A |
| 脉冲漏极电流 IDM | ‑18A |
| RDS (on) 最大值 (VGS=-10V,ID=-5A) | 170mΩ |
| RDS (on) 最大值 (VGS=-4.5V,ID=-2A) | 200mΩ |
| 单脉冲雪崩能量 EAS | 20mJ |
| 栅源电压 VGS | ±20V |
| 结温 / 存储温度 Tj,Tstg | ‑55℃ ~ +175℃ |
| 结到壳热阻 RθJC | 4.1℃/W |
| 认证 | AEC‑Q101、100% UIS 雪崩测试、RoHS2.0 |
| 包装规格 | 13" 卷带,5000PCS / 卷 |
汽车电子:车载 BMS 电池管理、车载负载开关、电源防反接保护;
工业控制:工业板卡电源通断、供电回路控制;
储能消费类:便携式设备电源路径管理、电池保护、负压开关;
电源系统:DC‑DC 转换器、负载电源开关控制。
PS:汉盈科技一站式提供强茂全系列产品,如需规格资料、样品测试、技术交流、查库存等,欢迎和汉盈联系。
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