全国免费客服电话 18102830805 邮箱:3345374288@qq.com
手机:18102830805
电话:18102830805
地址:广州市黄埔区枝山路13号C栋601房
PJA3428-AU是强茂的一款30V N沟道增强型MOSFET,该器件专为继电器驱动、速度线驱动等应用设计。
产品详情
PJA3428-AU是强茂的一款30V N沟道增强型MOSFET,该器件专为继电器驱动、速度线驱动等应用设计,具有优异的电气性能和稳定性。
PJA3428-AU不仅通过了AEC-Q101认证,适用于汽车电子等高质量要求的领域,还采用了符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅封装。
其SOT-23封装形式小巧轻便(约0.0084克),便于在电路板上布局和安装。
引脚焊接遵循MIL-STD-750标准的方法2026,确保电气连接和机械稳定性。
以下是PJA3428-AU的详细参数列表:
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | - | 30 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | + | 10 | - | - | V |
| 连续漏极电流 | I_D | 注4 | 300 | - | - | mA |
| 脉冲漏极电流 | I_DM | 注1 | 600 | - | - | mA |
| 功耗(25℃) | P_D | T_A=25℃ | 500 | - | - | mW |
| 结温与存储温度范围 | T_J, T_STG | - | -55 | - | 150 | ℃ |
| 热阻(结至环境) | R_θJA | 注3,4 | - | - | 250 | ℃/W |
| 静态漏源击穿电压 | BV_DSS | V_GS=0V, I_D=250uA | 30 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V_GS(th) | V_DS=V_GS, I_D=250uA | 0.4 | 0.75 | 1 | V |
| 漏源导通电阻(不同条件) | R_DS(on) | V_GS=4.5V, I_D=300mA 等多种条件 | - | 0.7-1.5 | 1.2-4 | Ω |
| 零栅压漏极电流 | I_DSS | V_DS=24V, V_GS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | V_GS=+8V, V_DS=0V | - | - | +10 | uA |
| 总栅极电荷 | Q_g | V_DS=10V, I_D=300mA, V_GS=4.5V | - | 0.9 | - | nC |
注:
在使用PJA3428-AU MOS管时,请注意以下几点,以确保其性能和可靠性:
静电防护:MOS管对静电敏感,因此在处理和存储过程中应采取防静电措施,如佩戴防静电手套、在操作前接地等。
驱动电压:确保驱动电压在器件规格书规定的范围内,过高或过低的驱动电压都可能影响MOS管的正常工作。
温度控制:操作温度应保持在器件规格书规定的范围内,避免过高温度导致器件失效或寿命缩短。
负载匹配:确保MOS管的输出负载在规定的范围内,避免过载导致器件损坏。
短路保护:在设计中考虑添加短路保护电路,以防止因故障或意外情况引起的短路损害。
封装兼容性:在选择和使用MOS管时,应考虑封装类型与电路板的兼容性,确保良好的电气连接和机械稳定性。
请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
相关推荐