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PJQ65702U3‑AU 是强茂PDFN8080‑8L 封装 N 沟道增强型功率 MOSFET
产品详情
PJQ65702U3‑AU 是强茂PDFN8080‑8L 封装 N 沟道增强型功率 MOSFET,车规 AEC‑Q101 认证,耐压 100V,Tc25℃连续漏极电流 340A,具备极低导通电阻 Rds (on) 最大 1.7mΩ;100% 雪崩 UIS 测试,耐高温结温可达 175℃,采用标准电平驱动,无铅符合 RoHS2.0,适合车载、大功率 DC‑DC、电机驱动、大功率开关电源等高功率场景。卷带 3Kpcs/13 英寸编带出货。
超大电流、极低导通电阻VGS=10V 条件下 Rds (on) 最大仅 1.7mΩ,大幅降低导通损耗;Tc=25℃连续漏极电流 340A,脉冲漏极电流可达 1360A,适合大功率通路。
车规级可靠性AEC‑Q101 汽车电子认证;生产 100% 雪崩 UIS 测试;结温范围‑55℃~+175℃,抗冲击、高温工况稳定。
PDFN8080‑8L 大电流贴片封装大散热焊盘 PDFN8080‑8L 贴片封装,热阻 RθJC 低至 0.38℃/W,散热能力优秀,适配 SMT 自动化贴装。
标准电平驱动标准驱动电平,常规 MOS 管驱动芯片即可直接驱动,无需特殊驱动电路。
合规环保符合 EU RoHS2.0,绿色模塑化合物遵从 IEC 61249 标准,无铅可焊端子。
优异本体二极管性能内置高性能体二极管,反向恢复特性良好,适合感性负载、电机换向场景。
| 参数项目 | 规格指标 |
|---|---|
| 型号 | PJQ65702U3‑AU |
| 器件类型 | N‑Channel 增强型 MOSFET |
| 封装 | PDFN8080‑8L |
| 漏源耐压 VDS | 100V |
| 连续漏极电流 ID (Tc=25℃) | 340A |
| 脉冲漏极电流 IDM | 1360A |
| RDS (on) 最大值 (VGS=10V,ID=50A) | 1.7mΩ |
| 栅源电压 VGS | ±20V |
| 单脉冲雪崩能量 EAS | 1013mJ |
| 结温 / 存储温度 Tj,Tstg | ‑55℃ ~ +175℃ |
| 结到壳热阻 RθJC | 0.38℃/W |
| 认证 | AEC‑Q101、RoHS2.0 |
| 包装规格 | 13" 卷带,3000PCS / 卷 |
汽车电子:车载 BMS 电池管理、车载大功率 DC‑DC、车载电机驱动、车载负载开关;
工业电源:大功率 DC‑DC 变换器、储能变流、大功率开关电源;
电机控制:大功率 BLDC 无刷电机、伺服电机驱动;
储能设备:储能模块、大功率负载开关、电池保护通路。
PS:汉盈科技一站式提供强茂全系列产品,如需规格资料、样品测试、技术交流、查库存等,欢迎和汉盈联系。
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