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PJQ24817AW‑AU 是强茂DFN2020BW‑6L 小型贴片 P 沟道增强型 MOSFET
产品详情
PJQ24817AW‑AU 是强茂DFN2020BW‑6L 小型贴片 P 沟道增强型 MOSFET,AEC‑Q101 车规认证,漏源耐压‑80V,Tc25℃连续漏极电流‑5A;具备优异 FOM 品质因数,支持逻辑电平驱动,引脚为可焊侧翼 Wettable flank 设计,便于 PCBA 焊点检测;符合 RoHS2.0 无铅环保标准,小体积适合车载、工业设备、电池管理、负载开关等空间受限电路。7 英寸卷带,3000PCS / 卷出货。
逻辑电平驱动,低导通电阻VGS=-10V 时 Rds (on) 最大 360mΩ;VGS=-6V 条件下 Rds (on) 最大 400mΩ,支持低栅压驱动,适配普通逻辑芯片直接控制。
车规级高可靠性AEC‑Q101 汽车电子认证;结温范围‑55℃~+175℃,适应车载严苛温度环境。
DFN2020BW‑6L 微型贴片封装2×2mm 小尺寸,Wettable flank 可焊侧边引脚,便于焊点外观检查;适配 SMT 自动化贴装,节省 PCB 布板面积。
优异开关性能栅电荷 Qg 低至典型 8.4nC,FOM 品质因数优秀,开关损耗低;内置体二极管,反向恢复 Trr 典型 15ns,适合感性负载。
合规环保EU RoHS2.0 无铅,绿色模塑化合物遵从 IEC 61249 标准,端子满足可焊性标准 MIL‑STD‑750。
| 参数项目 | 规格指标 |
|---|---|
| 型号 | PJQ24817AW‑AU |
| 器件类型 | P‑Channel 增强型 MOSFET |
| 封装 | DFN2020BW‑6L(2×2mm) |
| 漏源耐压 VDS | -80V |
| 连续漏极电流 ID (Tc=25℃) | ‑5A |
| 脉冲漏极电流 IDM | ‑10A |
| RDS (on) 最大值 (VGS=-10V,ID=-1.8A) | 360mΩ |
| RDS (on) 最大值 (VGS=-6V,ID=-1.5A) | 400mΩ |
| 栅源电压 VGS | ±20V |
| 结温 / 存储温度 Tj,Tstg | ‑55℃ ~ +175℃ |
| 结到壳热阻 RθJC | 7.2℃/W |
| 认证 | AEC‑Q101、RoHS2.0 |
| 包装规格 | 7" 卷带,3000PCS / 卷 |
汽车电子:车载 BMS 电池管理、车载负载开关、车载电源反向保护;
工业控制:工业板卡电源开关、信号板供电控制;
消费与储能:便携式设备电源路径管理、电池保护、负压开关;
电源系统:DC‑DC 转换器、负载电源通断控制。
PS:汉盈科技一站式提供强茂全系列产品,如需规格资料、样品测试、技术交流、查库存等,欢迎和汉盈联系。
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